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- RS品番:
- 186-7153
- メーカー型番:
- FDG6321C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | SC-70 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 最大許容損失Pd | 300mW | |
| ピン数 | 6 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | FDG6321C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 SC-70 | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
最大許容損失Pd 300mW | ||
ピン数 6 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ FDG6321C | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 2.2mm | ||
自動車規格 なし | ||
これらのデュアルN及びPチャンネルロジックレベル強化モードフィールド効果トランジスタは、独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この非常に高密度のプロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑えるために特別にカスタマイズされています。このデバイスは、バイポーラデジタルトランジスタや小型信号MOSFETSの代替品として、特に低電圧用途向けに設計されています。バイアス抵抗器は不要なため、このデュアルデジタルFETは、さまざまなバイアス抵抗器値を備えた複数の異なるデジタルトランジスタを置き換えることができます。
N-Ch
0.50 A、25 V
RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
RDS(ON) = 0.60 Ω @ VGS= 2.7 V
P-Ch
-0.41 A、-25 V
RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V
RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V
非常に小型のパッケージアウトラインSC70-6です。
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用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。