onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, 8ピン, 4.8 A, WDFN, 表面
- RS品番:
- 186-8543P
- メーカー型番:
- FDMB3800N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 |
|---|---|
| 150 - 1390 | ￥130.00 |
| 1400 - 1890 | ￥114.80 |
| 1900 - 2390 | ￥99.20 |
| 2400 + | ￥84.70 |
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- RS品番:
- 186-8543P
- メーカー型番:
- FDMB3800N
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | 抵抗内蔵トランジスタ | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| トランジスタ極性 | Nチャンネル | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 4.8A | |
| 最大許容損失Pd | 1.6W | |
| ピン数 | 8 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3mm | |
| 高さ | 800μm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 1.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ 抵抗内蔵トランジスタ | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
トランジスタ極性 Nチャンネル | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 4.8A | ||
最大許容損失Pd 1.6W | ||
ピン数 8 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3mm | ||
高さ 800μm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 1.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
これらの N チャンネルロジックレベル MOSFET は、 Advanced PowerTrench プロセスを使用して生産され、特にオン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するようにカスタマイズされています。これらのデバイスは、低インライン電力損失と高速スイッチングが必要な低電圧及びバッテリ駆動用途に最適です。
最大 rDS （ on ） = 40 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 4.8 A
最大 rDS （ on ） = 51 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 4.3 A
高速スイッチング速度
低ゲート電荷量
超低 rDS （ on ）向けの高性能トレンチテクノロジー
高電力及び高電流処理能力
用途
この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。