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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	抵抗内蔵トランジスタ
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo	50V
	取付タイプ	表面
	トランジスタ構成	シングル
	最大コレクタベース電圧 VCBO	50V
	最大許容損失Pd	310mW
	最小DC電流ゲイン（hFE）	80
	トランジスタ極性	NPN
	動作温度 Max	150°C
	ピン数	3
	長さ	2.2mm
	高さ	1mm
	シリーズ	MUN5213
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ抵抗内蔵トランジスタ
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 50V
	取付タイプ表面
	トランジスタ構成シングル
	最大コレクタベース電圧 VCBO 50V
	最大許容損失Pd 310mW
	最小DC電流ゲイン（hFE） 80
	トランジスタ極性 NPN
	動作温度 Max 150°C
	ピン数 3
	長さ 2.2mm
	高さ 1mm
	シリーズ MUN5213
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q101

このシリーズのデジタルトランジスタは、シングルデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワークの交換用に設計されています。バイアス抵抗器トランジスタ(BRT)には、2つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されたモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRTは、これらの個々のコンポーネントを1つのデバイスに統合することで排除します。BRTを使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。

回路設計を簡素化

基板スペースを削減

コンポーネントカウントを削減

独自のサイト及び制御変更要件を必要とする自動車及びその他の用途向けのS及びNSVプレフィックス、PPAP対応

これらのデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

onsemi 抵抗内蔵トランジスタ, MUN5213T1G NPN, 3-Pin, 表面, 50 V

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