Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 2 GB, パラレル, 63-Pin VFBGA

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2100 - 5040¥1,005.233¥211,099
5250 - 10290¥1,001.91¥210,401
10500 +¥998.495¥209,684

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RS品番:
188-2560
メーカー型番:
W29N02GZBIBA
メーカー/ブランド名:
Winbond
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ブランド

Winbond

プロダクトタイプ

フラッシュメモリ

メモリサイズ

2GB

インタフェースタイプ

パラレル

パッケージ型式

VFBGA

ピン数

63

構成

256M x 8 Bit

取付タイプ

表面

セルタイプ

SLC NAND

最大電源電圧

1.95V

最小電源電圧

1.7V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

85°C

長さ

11.1mm

規格 / 承認

No

高さ

0.6mm

11.1 mm

1ワード当たりのビット数

8

最大ランダムアクセス時間

25μs

シリーズ

W29N02GZ

供給電流

20mA

自動車規格

なし

ワード数

256M

密度:2Gビット(シングルチップ・ソリューション)

Vcc : 1.7V~1.95V

バス幅:x8 x16

動作温度

産業用: -40°C~85°C

インダストリアル・プラス:-40℃~105

シングルレベルセル(SLC)技術。

組織

密度:2Gビット/256Mバイト

ページサイズ

2112バイト(2048+64バイト)

1056語(1024+32語)

ブロックサイズ

64ページ(128K+4Kバイト)

64ページ(64K+2Kワード)

最高のパフォーマンス

読み取り性能(最大)

ランダムリード:25秒

シーケンシャル・リード・サイクル:25ns

書き込み消去性能

ページプログラム時間:250us(typ.)

ブロック消去時間:2ms(typ.)

耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)

10年間のデータ保持

コマンドセット

標準NANDコマンド

追加のコマンドサポート

コピーバック

二面作戦

ワンタイムパスワードについてはウィンボンドまでお問い合わせください。

ウィンボンドへのブロックのお問い合わせ

最小消費電力

読み取り:13mA(typ.)

プログラム/消去:10mA(typ.)

CMOSスタンバイ:10uA(typ.)

スペース効率の良いパッケージング

48ピン標準TSOP1

63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの2Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅:x8

ランダムリード:25秒

ページプログラム時間:250us(typ.)

ブロック消去時間:2ms(typ.)

サポート OTP メモリ領域

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