Winbond フラッシュメモリ SLC NAND, 2 GB, パラレル, 63-Pin VFBGA
- RS品番:
- 188-2560
- メーカー型番:
- W29N02GZBIBA
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
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|---|---|---|
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| 1050 - 1890 | ¥1,008.614 | ¥211,809 |
| 2100 - 5040 | ¥1,005.233 | ¥211,099 |
| 5250 - 10290 | ¥1,001.91 | ¥210,401 |
| 10500 + | ¥998.495 | ¥209,684 |
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- RS品番:
- 188-2560
- メーカー型番:
- W29N02GZBIBA
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | |
| プロダクトタイプ | フラッシュメモリ | |
| メモリサイズ | 2GB | |
| インタフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージ型式 | VFBGA | |
| ピン数 | 63 | |
| 構成 | 256M x 8 Bit | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| セルタイプ | SLC NAND | |
| 最大電源電圧 | 1.95V | |
| 最小電源電圧 | 1.7V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 長さ | 11.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 11.1 mm | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25μs | |
| シリーズ | W29N02GZ | |
| 供給電流 | 20mA | |
| 自動車規格 | なし | |
| ワード数 | 256M | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Winbond | ||
プロダクトタイプ フラッシュメモリ | ||
メモリサイズ 2GB | ||
インタフェースタイプ パラレル | ||
パッケージ型式 VFBGA | ||
ピン数 63 | ||
構成 256M x 8 Bit | ||
取付タイプ 表面 | ||
セルタイプ SLC NAND | ||
最大電源電圧 1.95V | ||
最小電源電圧 1.7V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
長さ 11.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 11.1 mm | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
最大ランダムアクセス時間 25μs | ||
シリーズ W29N02GZ | ||
供給電流 20mA | ||
自動車規格 なし | ||
ワード数 256M | ||
密度:2Gビット(シングルチップ・ソリューション)
Vcc : 1.7V~1.95V
バス幅:x8 x16
動作温度
産業用: -40°C~85°C
インダストリアル・プラス:-40℃~105
シングルレベルセル(SLC)技術。
組織
密度:2Gビット/256Mバイト
ページサイズ
2112バイト(2048+64バイト)
1056語(1024+32語)
ブロックサイズ
64ページ(128K+4Kバイト)
64ページ(64K+2Kワード)
最高のパフォーマンス
読み取り性能(最大)
ランダムリード:25秒
シーケンシャル・リード・サイクル:25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間:250us(typ.)
ブロック消去時間:2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンド
追加のコマンドサポート
コピーバック
二面作戦
ワンタイムパスワードについてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ウィンボンドへのブロックのお問い合わせ
最小消費電力
読み取り:13mA(typ.)
プログラム/消去:10mA(typ.)
CMOSスタンバイ:10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA
均一な2KB+64Bページサイズの2Gb SLC NANDフラッシュメモリ。
バス幅:x8
ランダムリード:25秒
ページプログラム時間:250us(typ.)
ブロック消去時間:2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域
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