Winbond, フラッシュメモリ, 8Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N08GZBIBA
- RS品番:
- 188-2657
- メーカー型番:
- W29N08GZBIBA
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 9 | ￥4,449 |
| 10 - 24 | ￥3,917 |
| 25 - 49 | ￥3,386 |
| 50 - 99 | ￥2,865 |
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- RS品番:
- 188-2657
- メーカー型番:
- W29N08GZBIBA
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | |
| メモリサイズ | 8Gbit | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | VFBGA | |
| ピン数 | 63 | |
| 構成 | 1024Kx8ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | SLC NAND | |
| 動作供給電圧 Min | 1.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 1.95 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 11.1mm | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 9.1mm | |
| 寸法 | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| シリーズ | W29N | |
| ワード数 | 1024K | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25µs | |
| 動作温度 Max | +85 ℃ | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Winbond | ||
メモリサイズ 8Gbit | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ VFBGA | ||
ピン数 63 | ||
構成 1024Kx8ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ SLC NAND | ||
動作供給電圧 Min 1.7 V | ||
動作供給電圧 Max 1.95 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 11.1mm | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 9.1mm | ||
寸法 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
シリーズ W29N | ||
ワード数 1024K | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 25µs | ||
動作温度 Max +85 ℃ | ||
動作温度 Min -40°C | ||
密度：8Gビット（2チップ・スタック・ソリューション）
Vcc : 1.7V～1.95V
バス幅：x8/x16
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：8Gビット/1Gバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
1056語（1024＋32語）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
64ページ（64K＋2Kワード）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：35ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み取り：13mA(typ.)
プログラム/消去：13mA(typ.)
CMOSスタンバイ：20uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA
Vcc : 1.7V～1.95V
バス幅：x8/x16
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：8Gビット/1Gバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
1056語（1024＋32語）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
64ページ（64K＋2Kワード）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：35ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み取り：13mA(typ.)
プログラム/消去：13mA(typ.)
CMOSスタンバイ：20uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA
均一な2KB+64Bページサイズの8Gb SLC NANDフラッシュメモリ。
バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。