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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Winbond
	メモリサイズ	4Gbit
	インターフェースタイプ	パラレル
	パッケージタイプ	VFBGA
	ピン数	63
	構成	512 M x 8ビット
	実装タイプ	表面実装
	セルタイプ	SLC NAND
	動作供給電圧 Min	2.7 V
	動作供給電圧 Max	3.6 V
	長さ	11.1mm
	高さ	0.6mm
	幅	9.1mm
	寸法	11.1 x 9.1 x 0.6mm
	1ワード当たりのビット数	8bit
	最大ランダムアクセス時間	25µs
	ワード数	512M
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	+85 ℃
	シリーズ	W29N

	すべて選択
	ブランド Winbond
	メモリサイズ 4Gbit
	インターフェースタイプパラレル
	パッケージタイプ VFBGA
	ピン数 63
	構成 512 M x 8ビット
	実装タイプ表面実装
	セルタイプ SLC NAND
	動作供給電圧 Min 2.7 V
	動作供給電圧 Max 3.6 V
	長さ 11.1mm
	高さ 0.6mm
	幅 9.1mm
	寸法 11.1 x 9.1 x 0.6mm
	1ワード当たりのビット数 8bit
	最大ランダムアクセス時間 25µs
	ワード数 512M
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max +85 ℃
	シリーズ W29N

Datasheet W29N04GVBIAF

密度：4Gビット（シングルチップ・ソリューション）
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度4Gビット/512Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
シーケンシャル・キャッシュ・リード
ランダム・キャッシュ・リード
キャッシュ・プログラム
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み取り：25mA(typ.)
プログラム/消去：25mA(typ.)
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの4Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Winbond, フラッシュメモリ, 4Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N04GVBIAF

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