Winbond, フラッシュメモリ, 2Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N02GVBIAF
- RS品番:
- 188-2556
- メーカー型番:
- W29N02GVBIAF
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
ボリュームディスカウント対象商品
1 トレイ(1トレイ210個入り) 小計：*
￥162,197.07
(税抜)
￥178,416.84
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年3月31日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 210 - 840 | ￥772.367 | ￥162,197 |
| 1050 - 1890 | ￥756.924 | ￥158,954 |
| 2100 - 5040 | ￥741.776 | ￥155,773 |
| 5250 - 10290 | ￥726.952 | ￥152,660 |
| 10500 + | ￥712.41 | ￥149,606 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。
- RS品番:
- 188-2556
- メーカー型番:
- W29N02GVBIAF
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | |
| メモリサイズ | 2Gbit | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | VFBGA | |
| ピン数 | 63 | |
| 構成 | 256 M x 8ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | SLC NAND | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 11.1mm | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 9.1mm | |
| 寸法 | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| シリーズ | W29N | |
| ワード数 | 256M | |
| 動作温度 Max | +85 ℃ | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25µs | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Winbond | ||
メモリサイズ 2Gbit | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ VFBGA | ||
ピン数 63 | ||
構成 256 M x 8ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ SLC NAND | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 11.1mm | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 9.1mm | ||
寸法 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
動作温度 Min -40°C | ||
シリーズ W29N | ||
ワード数 256M | ||
動作温度 Max +85 ℃ | ||
最大ランダムアクセス時間 25µs | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
密度：2Gビット（シングルチップ・ソリューション）
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：2Gビット/256Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(2)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
シーケンシャル・キャッシュ・リード
ランダム・キャッシュ・リード
キャッシュ・プログラム
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能については、ウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み出し: 25mA(typ.3V)
プログラム/消去：25mA(typ.3V)
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：2Gビット/256Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(2)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
シーケンシャル・キャッシュ・リード
ランダム・キャッシュ・リード
キャッシュ・プログラム
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能については、ウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み出し: 25mA(typ.3V)
プログラム/消去：25mA(typ.3V)
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA
均一な2KB+64Bページサイズの2Gb SLC NANDフラッシュメモリ。
バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。