Winbond, フラッシュメモリ, 1Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N01HVBINF
- RS品番:
- 188-2551
- メーカー型番:
- W29N01HVBINF
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
ボリュームディスカウント対象商品
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 210 - 840 | ￥501.338 | ￥105,281 |
| 1050 - 1890 | ￥496.267 | ￥104,216 |
| 2100 - 5040 | ￥486.343 | ￥102,132 |
| 5250 - 10290 | ￥476.638 | ￥100,094 |
| 10500 + | ￥467.095 | ￥98,090 |
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- RS品番:
- 188-2551
- メーカー型番:
- W29N01HVBINF
- メーカー/ブランド名:
- Winbond
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | |
| メモリサイズ | 1Gbit | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| パッケージタイプ | VFBGA | |
| ピン数 | 63 | |
| 構成 | 128 M x 8ビット | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| セルタイプ | SLC NAND | |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V | |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V | |
| ブロック構成 | 対称 | |
| 長さ | 11.1mm | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 9.1mm | |
| 寸法 | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | |
| シリーズ | W29N | |
| 動作温度 Max | +85 ℃ | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 25µs | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| ワード数 | 128M | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Winbond | ||
メモリサイズ 1Gbit | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
パッケージタイプ VFBGA | ||
ピン数 63 | ||
構成 128 M x 8ビット | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
セルタイプ SLC NAND | ||
動作供給電圧 Min 2.7 V | ||
動作供給電圧 Max 3.6 V | ||
ブロック構成 対称 | ||
長さ 11.1mm | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 9.1mm | ||
寸法 11.1 x 9.1 x 0.6mm | ||
シリーズ W29N | ||
動作温度 Max +85 ℃ | ||
最大ランダムアクセス時間 25µs | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
ワード数 128M | ||
動作温度 Min -40°C | ||
密度：1Gビット（シングルチップ・ソリューション）
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：1Gビット/128Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
コピーバック
最小消費電力
読み出し：25mA(typ.3V)、
プログラム/消去：25mA(typ.3V)、
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
48ボールVFBGA
63ボールVFBGA
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：1Gビット/128Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(1)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
コピーバック
最小消費電力
読み出し：25mA(typ.3V)、
プログラム/消去：25mA(typ.3V)、
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
48ボールVFBGA
63ボールVFBGA
均一な2KB+64Bページサイズの1Gb SLC NANDフラッシュメモリ。
バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。