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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Winbond
	メモリサイズ	2Gbit
	インターフェースタイプ	パラレル
	パッケージタイプ	VFBGA
	ピン数	63
	構成	256 M x 8ビット
	実装タイプ	表面実装
	セルタイプ	SLC NAND
	動作供給電圧 Min	2.7 V
	動作供給電圧 Max	3.6 V
	ブロック構成	対称
	長さ	11.1mm
	高さ	0.6mm
	幅	9.1mm
	寸法	11.1 x 9.1 x 0.6mm
	1ワード当たりのビット数	8bit
	シリーズ	W29N
	ワード数	256M
	最大ランダムアクセス時間	25µs
	動作温度 Max	+85 ℃
	動作温度 Min	-40°C

	すべて選択
	ブランド Winbond
	メモリサイズ 2Gbit
	インターフェースタイプパラレル
	パッケージタイプ VFBGA
	ピン数 63
	構成 256 M x 8ビット
	実装タイプ表面実装
	セルタイプ SLC NAND
	動作供給電圧 Min 2.7 V
	動作供給電圧 Max 3.6 V
	ブロック構成対称
	長さ 11.1mm
	高さ 0.6mm
	幅 9.1mm
	寸法 11.1 x 9.1 x 0.6mm
	1ワード当たりのビット数 8bit
	シリーズ W29N
	ワード数 256M
	最大ランダムアクセス時間 25µs
	動作温度 Max +85 ℃
	動作温度 Min -40°C

密度：2Gビット（シングルチップ・ソリューション）
Vcc : 2.7V～3.6V
バス幅：x8
動作温度
産業用: -40°C～85°C
シングルレベルセル（SLC）技術。
組織
密度：2Gビット/256Mバイト
ページサイズ
2112バイト（2048＋64バイト）
ブロックサイズ
64ページ（128K＋4Kバイト）
最高のパフォーマンス
読み取り性能（最大）
ランダムリード：25秒
シーケンシャル・リード・サイクル：25ns
書き込み消去性能
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
耐久性 100,000消去/プログラムサイクル(2)
10年間のデータ保持
コマンドセット
標準NANDコマンドセット
追加コマンドのサポート
シーケンシャル・キャッシュ・リード
ランダム・キャッシュ・リード
キャッシュ・プログラム
コピーバック
二面作戦
OTP機能についてはウィンボンドまでお問い合わせください。
ブロックロック機能については、ウィンボンドまでお問い合わせください。
最小消費電力
読み出し: 25mA(typ.3V)
プログラム/消去：25mA(typ.3V)
CMOSスタンバイ：10uA(typ.)
スペース効率の良いパッケージング
48ピン標準TSOP1
63ボールVFBGA

均一な2KB+64Bページサイズの2Gb SLC NANDフラッシュメモリ。

バス幅：x8
ランダムリード：25秒
ページプログラム時間：250us(typ.)
ブロック消去時間：2ms(typ.)
サポート OTP メモリ領域

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

個	単価	購入単位毎合計*
2 - 8	￥837.50	￥1,675
10 - 18	￥757.00	￥1,514
20 - 48	￥675.50	￥1,351
50 - 98	￥594.50	￥1,189
100 +	￥514.00	￥1,028

Winbond, フラッシュメモリ, 2Gbit, パラレル, 63-Pin, W29N02GVBIAF

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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