Infineon, フラッシュメモリ 64Mbit CFI, 48-Pin, S29GL064S70BHI030

S29GL-S 中間密度ファミリのデバイスは、 65 nm MirrorBit テクノロジーを使用して製造された 3.0 V のシングル電源フラッシュメモリです。
S29GL064S は、 4,194,304 ワードまたは 8,388,608 バイトで構成された 64 Mb デバイスです。モデル番号に応じて、デバイスは 16 ビット幅のデータバスのみ、または BYTE# 入力を使用して 8 ビット幅のデータバスとして機能する 16 ビット幅のデータバスを備えています。
このデバイスは、ホストシステム又は標準の EPROM プログラマのいずれかでプログラムすることができます。70 ns もの高速なアクセス時間が利用できます。パッケージには、モデル番号に応じて 48 ピン TSOP 、 56 ピン TSOP 、 48 ボールファインピッチ BGA 、および 64 ボール強化 BGA が含まれます。各デバイスには、個別のチップイネーブル（ CE# ）、書き込みイネーブル（ WE # ）、出力イネーブル（ OE # ）制御があります。各デバイスに必要な 3.0 V 電源は、読み取りと書き込みの両方の機能に対応しています。VCC 入力に加えて、 WP#/ACC または ACC 入力での電圧の増加によって、高電圧加速プログラム (ACC) 機能がサポートされます。この機能は、システムの生産を容易にすることを目的としています。 コマンドは、標準的なマイクロプロセッサ書き込みタイミングを使用してデバイスに書き込まれます。書き込みサイクルは、プログラミング及び消去操作に必要な内部ラッチアドレス及びデータも含みます。
セクタ消去アーキテクチャにより、他のセクタのデータ内容に影響を与えることなく、メモリセクタの消去や再プログラミングができます。デバイスは工場出荷時に完全に消去されます。
Advanced Sector Protection は、複数のレベルのセクタ保護を備えており、特定のセクタでプログラムと消去の両方の操作を無効にすることができます。

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