マイクロチップ, フラッシュメモリ 4Mbit パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-NHE
- RS品番:
- 723-8763
- メーカー型番:
- SST39SF040-70-4C-NHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
160 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は2個
￥702.50
(税抜)
￥772.75
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 2 - 6 | ￥702.50 | ￥1,405.00 |
| 8 - 14 | ￥624.00 | ￥1,248.00 |
| 16 - 18 | ￥562.00 | ￥1,124.00 |
| 20 - 22 | ￥511.00 | ￥1,022.00 |
| 24 + | ￥468.50 | ￥937.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 723-8763
- メーカー型番:
- SST39SF040-70-4C-NHE
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
データシート
その他
詳細情報
SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlash®メモリ
Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlash®メモリICです。
特長
4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作
耐久性 – 100,000回(標準)
低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値)
セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ
読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns
セクタ消去時間: 18 ms
チップ消去時間: 70 ms(標準)
バイトプログラム時間 – 14 μs(標準)
チップ書換え時間 – SST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値)
ラッチ付きアドレス及びデータ
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
TTL I/O互換品
JEDEC規格 – フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
耐久性 – 100,000回(標準)
低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値)
セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ
読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns
セクタ消去時間: 18 ms
チップ消去時間: 70 ms(標準)
バイトプログラム時間 – 14 μs(標準)
チップ書換え時間 – SST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値)
ラッチ付きアドレス及びデータ
自動書き込み時間 – 内部VPP生成
End-of-Write検出 – トグルビット – データ#ポーリング
TTL I/O互換品
JEDEC規格 – フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
フラッシュメモリ、Microchip
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 4Mbit |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| パッケージタイプ | PLCC |
| ピン数 | 32 |
| 構成 | 512 K x 8ビット |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| セルタイプ | スプリットゲート |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V |
| ブロック構成 | 対称 |
| 長さ | 14.05mm |
| 高さ | 2.84mm |
| 幅 | 11.51mm |
| 寸法 | 11.51 x 14.05 x 2.84mm |
| 最大ランダムアクセス時間 | 70ns |
| 動作温度 Max | +70 °C |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit |
| ワード数 | 512K |
| シリーズ | SST39 |
| 動作温度 Min | 0 °C |