Infineon FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, I2C, FM24C04B-G

強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み
高耐久性
低消費電力

2 Mbit 強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 128 K x 16 として構成されています
UB 及び LB を使用して、 256 K x 8 として構成可能
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
30 ns サイクル時間までのページモード動作
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
SRAM 互換
業界標準の 128 K x 16 SRAM ピン配列
アクセス時間： 60 ns 、サイクル時間： 90 ns
高度な機能
ソフトウェアでプログラム可能なブロック書き込み保護
バッテリバックアップ式 SRAM モジュールより優れています
バッテリに関する問題はありません
モノリシックの信頼性
本格的な表面実装ソリューション、再加工は不要
湿気、衝撃、振動に優れています
低消費電力
アクティブ電流： 7 mA （標準）
スタンバイ電流： 120 μ A （標準）
低電圧動作： VDD = 2.0 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C
44 ピン薄型小型アウトラインパッケージ（ TSOP ）タイプ II

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

FRAM (強誘電体RAM)

FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。