Infineon FRAM, 4 kB, 512 K x 8 ビット, シリアルI2C (2線), 8 bit, 8ピン SOIC
- RS品番:
- 188-5395
- メーカー型番:
- FM24C04B-G
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 188-5395
- メーカー型番:
- FM24C04B-G
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| メモリサイズ | 4kB | |
| プロダクトタイプ | FRAM | |
| 構成 | 512 K x 8 ビット | |
| インタフェースタイプ | シリアルI2C (2線) | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 3000ns | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 幅 | 3.98mm | |
| 高さ | 1.48mm | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 512 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
メモリサイズ 4kB | ||
プロダクトタイプ FRAM | ||
構成 512 K x 8 ビット | ||
インタフェースタイプ シリアルI2C (2線) | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 3000ns | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
幅 3.98mm | ||
高さ 1.48mm | ||
長さ 4.97mm | ||
動作温度 Max 85°C | ||
動作温度 Min -40°C | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 512 | ||
- COO（原産国）:
- US
FRAM（Cypress Semiconductor）
強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）はエネルギー効率に優れており、シリアルおよびパラレルの両インターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を備えています。末尾に「A」が付く部品は自動車用途向けに設計されており、AEC-Q100認定を取得しています。
不揮発性強誘電体RAMメモリ
高速書き込み速度
高耐久性
低消費電力
FRAM（強誘電体RAM）
FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）は、データ保存用コンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。F-RAMは、ROMとRAMの特性を併せ持ち、高速アクセス、高書き込み耐久性、低消費電力、不揮発性、優れた耐改ざん性を備えています。そのため、高いセキュリティと低消費電力が求められるスマートカードや携帯電話などの機器に最適なメモリです。
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