Infineon FRAM, 4 kB, SOIC, 8-Pin

RS品番:: 181-8247
メーカー型番:: FM24CL04B-GTR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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ボリュームディスカウント対象商品

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￥518,760.00

(税抜)

￥570,635.00

(税込)

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥207.504	￥518,760
5000 - 22500	￥207.434	￥518,585
25000 - 35000	￥205.28	￥513,200
37500 - 47500	￥203.116	￥507,790
50000 +	￥200.962	￥502,405

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RS品番:: 181-8247
メーカー型番:: FM24CL04B-GTR
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	FRAM
	メモリサイズ	4kB
	構成	512M x 8 Bit
	データバス幅	8bit
	最大ランダムアクセス時間	550ns
	最大クロック周波数	1MHz
	取付タイプ	表面
	パッケージ型式	SOIC
	ピン数	8
	高さ	1.38mm
	幅	3.98 mm
	長さ	4.97mm
	規格 / 承認	No
	動作温度 Max	85°C
	ワード数	512M
	動作温度 Min	-40°C
	自動車規格	AEC-Q100
	最大電源電圧	3.65V
	最小電源電圧	2.7V
	1ワード当たりのビット数	8

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ FRAM
	メモリサイズ 4kB
	構成 512M x 8 Bit
	データバス幅 8bit
	最大ランダムアクセス時間 550ns
	最大クロック周波数 1MHz
	取付タイプ表面
	パッケージ型式 SOIC
	ピン数 8
	高さ 1.38mm
	幅 3.98 mm
	長さ 4.97mm
	規格 / 承認 No
	動作温度 Max 85°C
	ワード数 512M
	動作温度 Min -40°C
	自動車規格 AEC-Q100
	最大電源電圧 3.65V
	最小電源電圧 2.7V
	1ワード当たりのビット数 8

Datasheet FM24CL04B-GTR

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 x 8 として構成されています

高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

高速 2 線シリアルインターフェース（ I2C ）

周波数：最大 1 MHz

シリアル（ I2C ） EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

従来の 100 kHz と 400 kHz のタイミングをサポートします

低消費電力

100  A アクティブ電流 @ 100 kHz

スタンバイ電流： 3  A （標準

電圧動作： VDD = 2.7 → 3.65 V

産業温度： -40 ° C → +85 ° C

8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ