Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, 8-Pin

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥792,000.00

(税抜)

¥871,200.00

(税込)

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単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥316.80¥792,000
5000 - 22500¥312.141¥780,353
25000 - 35000¥307.483¥768,708
37500 - 47500¥302.824¥757,060
50000 +¥298.165¥745,413

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RS品番:
184-0044
メーカー型番:
FM24CL64B-GTR
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

FRAM

メモリサイズ

64kB

構成

8K x 8 bit

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

550ns

最大クロック周波数

1MHz

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOIC

ピン数

8

3.98 mm

長さ

4.97mm

高さ

1.38mm

規格 / 承認

No

動作温度 Max

85°C

動作温度 Min

-40°C

1ワード当たりのビット数

8

最小電源電圧

2.7V

ワード数

8K

最大電源電圧

3.6V

自動車規格

AEC-Q100

16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 2 K x 8 として構成されています

高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持( 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照)

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )

周波数:最大 20 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

低消費電力

200  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流: 3  A (標準

低電圧動作: VDD = 2.7 → 3.6 V

産業温度: -40 ° C → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです

16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 2 K x 8 として構成されています

高耐久性: 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み

151 年間のデータ保持( 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照)

NODELAY ™書き込み

Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )

周波数:最大 20 MHz

シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です

SPI モード 0 ( 0 、 0 )及びモード 3 ( 1 、 1 )をサポート

洗練された書き込み保護スキーム

書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護

書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護

1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護

低消費電力

200  A アクティブ電流 @ 1 MHz

スタンバイ電流: 3  A (標準

低電圧動作: VDD = 2.7 → 3.6 V

産業温度: -40 ° C → +85 ° C

パッケージ

8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ

8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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