Infineon FRAM, 64 kB, SOIC, 8-Pin, FM24CL64B-GTR
- RS品番:
- 184-0064
- メーカー型番:
- FM24CL64B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 3 - 72 | ￥306.00 | ￥918 |
| 75 - 747 | ￥287.333 | ￥862 |
| 750 - 987 | ￥269.333 | ￥808 |
| 990 - 1977 | ￥250.667 | ￥752 |
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- RS品番:
- 184-0064
- メーカー型番:
- FM24CL64B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | FRAM | |
| メモリサイズ | 64kB | |
| 構成 | 8K x 8 bit | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 550ns | |
| 最大クロック周波数 | 1MHz | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 幅 | 3.98 mm | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 高さ | 1.38mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| ワード数 | 8K | |
| 最大電源電圧 | 3.6V | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8 | |
| 最小電源電圧 | 2.7V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ FRAM | ||
メモリサイズ 64kB | ||
構成 8K x 8 bit | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 550ns | ||
最大クロック周波数 1MHz | ||
取付タイプ 表面 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 8 | ||
幅 3.98 mm | ||
長さ 4.97mm | ||
高さ 1.38mm | ||
規格 / 承認 No | ||
動作温度 Max 85°C | ||
動作温度 Min -40°C | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ワード数 8K | ||
最大電源電圧 3.6V | ||
1ワード当たりのビット数 8 | ||
最小電源電圧 2.7V | ||
16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持（ 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照）
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
200 A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 3 A （標準
低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業温度： -40 ° C → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです
16 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 2 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持（ 12 ページの「データ保持と耐久性」を参照）
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
超高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 20 MHz
シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み保護（ WP ）ピンを使用したハードウェア保護
書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護
1/4 、 1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護
低消費電力
200 A アクティブ電流 @ 1 MHz
スタンバイ電流： 3 A （標準
低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業温度： -40 ° C → +85 ° C
パッケージ
8 ピン小型アウトライン集積回路（ SOIC ）パッケージ
8 ピン薄型デュアルフラットノーリード（ DFN ）パッケージです
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。