Infineon FRAM, 1 MB, 128 k x 8ビット, 2線式I2C, 8 bit, 3.4 MHz, 2 V ～ 3.6V, 8ピン SOIC

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RS品番:
188-5405
メーカー型番:
FM24V10-G
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

FRAM

メモリサイズ

1MB

構成

128 k x 8ビット

インタフェースタイプ

2線式I2C

データバス幅

8bit

最大ランダムアクセス時間

450ns

最大クロック周波数

3.4MHz

取付タイプ

表面

パッケージ型式

SOIC

ピン数

8

長さ

4.97mm

高さ

1.38mm

規格 / 承認

No

幅

3.98mm

動作温度 Max

85°C

最大電源電圧

3.6V

ワード数

128k

動作温度 Min

-40°C

自動車規格

AEC-Q100

最小電源電圧

2V

1ワード当たりのビット数

8

COO（原産国）:
US

FRAM、サイプレス半導体


強誘電体RAM（ F-RAM ）はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。

不揮発性強誘電体RAMメモリ

高速書き込み

高耐久性

低消費電力

FRAM (強誘電体RAM)


FRAM (強誘電体ランダムアクセスメモリ)は、データを格納するためのコンデンサとして強誘電体フィルムを使用する不揮発性メモリです。 F-RAMは、ROMデバイスとRAMデバイスの両方の特性を備えており、高速アクセス、書き込みモードにおける高い耐久性、低電力消費、不揮発性、優れた改ざん防止機能を特徴としています。 そのため、高セキュリティ、低電力消費が求められるスマートカードや、携帯電話その他のデバイスに理想的なメモリです。

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