Infineon FRAMメモリ, 4Mbit, FBGA, パラレル, FM22LD16-55-BG

強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は不揮発性で、電力が供給されなくなった後もデータが保持されます。信頼性の問題、機能的な欠点、バッテリバックアップ式 SRAM （ BBSRAM ）のシステム設計の複雑さを排除しながら、 151 年以上にわたってデータを保持します。高速な書き込みタイミングと高い書き込み耐久性により、 F-RAM は他のタイプのメモリよりも優れています。FM22LD16 の動作は、他の RAM デバイスの動作と似ているため、システム内の標準 SRAM の完全互換品として使用できます。読み取り / 書き込みサイクルは CE によってトリガされるか、アドレスを変更するだけでトリガされます。F-RAM メモリは、独自の強誘電体メモリプロセスにより不揮発性です。これらの機能により、 FM22LD16 は、頻繁または Rapid write を必要とする不揮発性メモリアプリケーションに最適です。FM22LD16 には、 VDD が最低 VDD 未満になった場合にメモリアレイへのアクセスをブロックする低電圧モニタが搭載されています。メモリは、この状況下で不注意なアクセスやデータ破損から保護されます。