インフィニオン FRAMメモリ, 64kbit, SOIC, パラレル, FM16W08-SG
- RS品番:
- 273-7374
- メーカー型番:
- FM16W08-SG
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-7374
- メーカー型番:
- FM16W08-SG
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 64kbit | |
| 構成 | 8K x 8 | |
| インターフェースタイプ | パラレル | |
| データバス幅 | 8bit | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 28 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 64kbit | ||
構成 8K x 8 | ||
インターフェースタイプ パラレル | ||
データバス幅 8bit | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 28 | ||
Infineon FRAMは、標準SRAMと同様に読み取り書き可能な8 K x 8非揮発性メモリです。強誘電体ランダムアクセスメモリ(FRAM)は不揮発性で、電源を切ってもデータが保持されます。バッテリバックアップSRAMの信頼性の問題、機能的な欠点、システム設計の複雑さを解消しながら、151年以上のデータ保持を実現します。高速書き込みタイミングと高い書き込み耐久性により、FRAMは他のタイプのメモリよりも優れています。その動作は、他のRAMデバイスと同様で、システムの標準SRAMの代替品として使用できます。最小読み取りサイクルタイミングと書き込みサイクルタイミングは同じです。FRAMメモリは、独自の強誘電体メモリプロセスにより不揮発性です。
低消費電力
SRAM及びEEPROM互換
高耐久性: 100兆個の読み取り / 書き込み
高度な高信頼性強誘電体プロセス
優れた耐湿性、耐衝撃性、耐振動性
SRAM及びEEPROM互換
高耐久性: 100兆個の読み取り / 書き込み
高度な高信頼性強誘電体プロセス
優れた耐湿性、耐衝撃性、耐振動性