インフィニオン FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, I2C, FM24C04B-GTR
- RS品番:
- 215-5779
- メーカー型番:
- FM24C04B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥241.80 | ￥1,209 |
| 125 - 1195 | ￥234.80 | ￥1,174 |
| 1200 - 1595 | ￥229.00 | ￥1,145 |
| 1600 - 1995 | ￥222.20 | ￥1,111 |
| 2000 + | ￥215.80 | ￥1,079 |
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- RS品番:
- 215-5779
- メーカー型番:
- FM24C04B-GTR
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| メモリサイズ | 4kbit | |
| 構成 | 512 x 8 | |
| インターフェースタイプ | I2C | |
| データバス幅 | 8bit | |
| 最大ランダムアクセス時間 | 10ns | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 8 | |
| 寸法 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| 長さ | 4.97mm | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 幅 | 3.98mm | |
| 高さ | 1.48mm | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| ワード数 | 512 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 動作供給電圧 Min | 4.5 V | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
メモリサイズ 4kbit | ||
構成 512 x 8 | ||
インターフェースタイプ I2C | ||
データバス幅 8bit | ||
最大ランダムアクセス時間 10ns | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 8 | ||
寸法 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
長さ 4.97mm | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
幅 3.98mm | ||
高さ 1.48mm | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
ワード数 512 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
動作供給電圧 Min 4.5 V | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
Cypress Semiconductor FM24C04B は、 Advanced 強誘電体プロセスを使用した 4 K ビット不揮発性メモリです。F-RAM （強誘電体ランダムアクセスメモリ）は不揮発性で、 RAM と同様の読み取りと書き込みを実行します。EEPROM やその他の不揮発性メモリによって発生する複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を排除しながら、 151 年間の信頼性の高いデータ保持を実現します。
4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 として構成されています x 8
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
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