Infineon FRAMメモリ, 4kbit, SOIC, I2C, FM24C04B-GTR

Cypress Semiconductor FM24C04B は、 Advanced 強誘電体プロセスを使用した 4 K ビット不揮発性メモリです。F-RAM （強誘電体ランダムアクセスメモリ）は不揮発性で、 RAM と同様の読み取りと書き込みを実行します。EEPROM やその他の不揮発性メモリによって発生する複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を排除しながら、 151 年間の信頼性の高いデータ保持を実現します。

4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）は、論理的に 512 として構成されています x 8
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス

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