Infineon FRAMメモリ, 256kbit, SOIC, I2C, FM31256-G

プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。

シリアル不揮発性FRAMメモリ
リアルタイムクロック(RTC)
低電圧リセット
ウォッチドッグタイマ
早期電源障害警告 / NMI
16ビットイベントカウンタ x 2
セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号
バッテリ駆動に切り替え
イベントカウンタトラッキング
I²Cインターフェイス

256 K ビット強誘電体ランダムアクセスメモリ（ F-RAM ）
論理的には、 32 K x 8 として構成されています
高耐久性： 100 兆（ 1014 ）の読み取り / 書き込み
151 年間のデータ保持
NODELAY ™書き込み
Advanced の高信頼性強誘電体プロセス
高集積デバイスは複数のパーツに取って代わるものです
シリアル不揮発性メモリ
アラーム付きリアルタイムクロック（ RTC
低 VDD 検出ドライブリセット
ウォッチドッグウィンドウタイマー
早期電源障害警告 / NMI
16 ビット不揮発性イベントカウンタ
セキュリティのための書き込みロック付きシリアル番号
リアルタイムクロック / カレンダー
バックアップ電流 @ 2 V ： 1.15 μ A @ +25 ° C
BCD 形式の秒から世紀
Leap year を 2099 まで追跡します
標準の 32.768 kHz 水晶（ 6 pF / 12.5 pF ）を使用
ソフトウェアキャリブレーション
バッテリ又はコンデンサのバックアップに対応
プログラム可能なウォッチドッグウィンドウタイマです
不揮発性イベントカウンタは、システムへの侵入やその他のイベントを追跡します
パワーフェイル割り込みなどの用途向けのコンパレータです
ロック付きの 64 ビットプログラマブルシリアル番号
高速シリアルペリフェラルインターフェイス（ SPI ）
周波数：最大 16 MHz
RTC 、 SPI インターフェイス経由で制御されたスーパーバイザ
SPI モード 0 （ 0 、 0 ）及びモード 3 （ 1 、 1 ）をサポート
有効電流： 1.1 mA @ 1 MHz
スタンバイ電流： 150 μ A
動作電圧： VDD = 2.7 → 3.6 V
産業用温度： -40 → +85 ° C

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。