onsemi MOSFETゲートドライバ 7.1 A 、 7.8 A SOIC 1 16-Pin 絶縁ゲートドライバ 非反転 表面実装

IGBT Miller Plateau 電圧で高電流出力（ +4/-6 A ）
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
ソフトターンオフ時のディサチュレーション
アクティブ Miller クランプ及び負のゲート電圧
高過渡及び電磁耐性
5 kV ガルバニック絶縁
システム効率を向上
PWM 信号の整合性が向上しています
過負荷及び短絡に対する保護
スプリアスゲートのターンオンを防止
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
高電圧と低電圧の側面を分離するガルバニック絶縁により、安全性と保護が得られます
用途
ソーラーインバータ
モータ制御
UPS
産業用電源
溶接

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