STMicroelectronics MOSFET, 1ドライバ, 5出力, 10 mA, 175 ns / 90 ns, 26 V ~ 26V, 14ピン SO-16

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

125個小計 (リールカット)*

¥49,400.00

(税抜)

¥54,340.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,260 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
125 - 1195¥395.20
1200 - 1595¥367.60
1600 - 1995¥340.20
2000 +¥312.40

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
188-8479P
メーカー型番:
TD350ETR
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

10mA

ピン数

14

降下時間

90ns

パッケージ型式

SO-16

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

175ns

最小電源電圧

26V

ドライバ数

1

最大電源電圧

26V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

長さ

8.75mm

高さ

1.65mm

規格 / 承認

No

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

TD350E デバイスは、 IGBT 及びパワー MOSFET 用の Advanced ゲートドライバです。制御機能と保護機能が搭載されており、信頼性の高いシステム設計が可能です。

革新的なアクティブ Miller クランプ機能により、ほとんどの用途で負のゲートドライブが不要になり、ハイサイドドライバ用のシンプルなブートストラップ電源が利用できます。

このデバイスには、レベルと遅延を調整可能な 2 段階のターンオフ機能があります。この機能は、過電流又は短絡状態の場合にターンオフ時に過電圧が過電流から保護されます。2 レベルターンオフ機能で設定された同じ遅延がターンオン時に適用され、パルス幅の歪みを防止します。

このデバイスは、 IGBT の不飽和保護機能と FAULT ステータス出力も備え、パルストランスとオプトカプラの両方の信号に対応しています。

1.5 A ソース / 2.3 A シンク(標準)ゲートドライブ

アクティブ Miller クランプ機能

レベルと遅延を調整可能な 2 レベルのターンオフ

ディサチュレーション検出

故障ステータス出力

負のゲート駆動機能

入力はパルストランス又はフォトカプラと互換性があります

ゲート駆動が簡単なシンクとソースの独立した出力

用途

1200 V 、 3 相インバータ

モータ制御

UPS システム

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。