Renesas Electronics MOSFET HIP2211FRTZ-T7A MOSFET 3400 mA DFN 2 10-Pin 20 V 表面

ゲートドライバIC・駆動回路 の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール250個入り) 小計：*

￥57,803.00

(税抜)

￥63,583.25

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 750 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
250 - 1000￥231.212￥57,803
1250 - 2250￥228.88￥57,220
2500 - 6000￥224.288￥56,072
6250 - 12250￥219.852￥54,963
12500 +￥215.412￥53,853

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
201-3369
メーカー型番:
HIP2211FRTZ-T7A
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

3400mA

ピン数

10

パッケージ型式

DFN

降下時間

365ns

ドライバタイプ

MOSFET

出力数

2

上昇時間

435ns

最小電源電圧

18V

最大電源電圧

20V

動作温度 Min

-65°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.75mm

幅

2.6 mm

長さ

3mm

シリーズ

HIP2211

規格 / 承認

No

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

ルネサス 100 V 、 3 A ソース、 4 A シンク高周波数ハーフブリッジ NMOS FET ドライバは HIP2211 シリーズに属しています。このドライバは 10 ピン構成です。3 レベル PWM 入力とデッドタイムをプログラム可能です。

高速伝搬遅延と 15 ns の標準遅延及び 2 ns の標準マッチングを特長としています

0.5 O 標準ブートストラップダイオードを内蔵しています

115 V dc ブートストラップ電源の最大電圧は、ハーフブリッジで 100 V をサポートします

関連ページ