Renesas Electronics MOSFET, 2 A, 20 ns / 10 ns, 9 V ～ 14V, 8ピン SOIC-8
- RS品番:
- 263-6913P
- メーカー型番:
- HIP2100IBZT
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
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(税抜)
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個 | 単価 |
|---|---|
| 50 - 498 | ￥1,012.00 |
| 500 - 998 | ￥877.00 |
| 1000 - 1998 | ￥743.00 |
| 2000 + | ￥609.50 |
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- RS品番:
- 263-6913P
- メーカー型番:
- HIP2100IBZT
- メーカー/ブランド名:
- ルネサス エレクトロニクス
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ルネサス エレクトロニクス | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 2A | |
| ピン数 | 8 | |
| 降下時間 | 10ns | |
| パッケージ型式 | SOIC-8 | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 20ns | |
| 最小電源電圧 | 9V | |
| 最大電源電圧 | 14V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | HIP2100 | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 4.98mm | |
| 高さ | 1.7mm | |
| 幅 | 3.99mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ルネサス エレクトロニクス | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 2A | ||
ピン数 8 | ||
降下時間 10ns | ||
パッケージ型式 SOIC-8 | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 20ns | ||
最小電源電圧 9V | ||
最大電源電圧 14V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ HIP2100 | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 4.98mm | ||
高さ 1.7mm | ||
幅 3.99mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Renesas Electronicsの低コスト、高周波ハーフブリッジNチャンネルパワーMOSFETドライバICです。ローサイド及びハイサイドゲートドライバは、独立して制御され、8 nsに対応します。これにより、ユーザーはデッドタイム選択とドライバプロトコルにおいて最大限の柔軟性を発揮します。ローサイド電源とハイサイド電源の両方の低電圧保護により、出力が低くなります。
マルチMHz回路の高速伝播時間
CMOS入力しきい値でノイズ耐性を向上
非ハーフブリッジトポロジ用の独立した入力
起動トラブルなし