STMicroelectronics HU3PAK IGBT 650 V, 84 A, 7-Pin

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥630.00

(税抜)

￥693.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 595 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 9￥630
10 - 99￥569
100 +￥522

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
285-638
メーカー型番:
STGHU30M65DF2AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

84 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

650 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

トランジスタ数

1

最大パワー消費

441 W

回路構成

デュアルゲート

パッケージタイプ

HU3PAK

実装タイプ

表面実装

ピン数

7

このSTマイクロエレクトロニクスのデバイスは、先進的な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。このデバイスは、低損失と短絡機能が不可欠な場合、インバータシステムの性能と効率の最適なバランスを実現するMシリーズIGBTの一部です。さらに、正のVCE(sat)温度係数と緊密なパラメータ分布は、より安全な並列運転をもたらす。

最大ジャンクション温度 TJ = 175 °C
最小短絡耐量6μs
タイトなパラメータ分布
より安全なパラレリング
低熱抵抗
ソフトで高速リカバリーの逆並列ダイオード
ケルビンピンの追加駆動による優れたスイッチング性能

関連ページ