Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 80 A, 3-Pin TO-247 1 シングル

InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。

• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。