Infineon TO-247 IGBT, Nチャンネル 650 V, 80 A, 3-Pin
- RS品番:
- 133-9879
- メーカー型番:
- IKW50N65ES5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 14 | ￥791 |
| 15 - 114 | ￥732 |
| 115 - 149 | ￥675 |
| 150 - 189 | ￥616 |
| 190 + | ￥558 |
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- RS品番:
- 133-9879
- メーカー型番:
- IKW50N65ES5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| 最大パワー消費 | 274 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 30kHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| エネルギー定格 | 1.78mJ | |
| ゲート静電容量 | 3100pF | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 1 | ||
最大パワー消費 274 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 30kHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
エネルギー定格 1.78mJ | ||
ゲート静電容量 3100pF | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V
InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。
• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。