インフィニオン TO-247 IGBT, Nチャンネル 650 V, 62 A, 3-Pin
- RS品番:
- 144-1201
- メーカー型番:
- IKW30N65ES5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 290 | ¥328.70 | ¥3,287 |
| 300 - 2990 | ¥327.70 | ¥3,277 |
| 3000 - 3990 | ¥327.20 | ¥3,272 |
| 4000 - 4990 | ¥326.10 | ¥3,261 |
| 5000 + | ¥325.00 | ¥3,250 |
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- RS品番:
- 144-1201
- メーカー型番:
- IKW30N65ES5XKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 62 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20 V, ±30V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| 最大パワー消費 | 188 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 30kHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| エネルギー定格 | 0.88mJ | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| ゲート静電容量 | 1800pF | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 62 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20 V, ±30V | ||
トランジスタ数 1 | ||
最大パワー消費 188 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 30kHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
エネルギー定格 0.88mJ | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
ゲート静電容量 1800pF | ||
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V
InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。
コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V
VCEsatが非常に低い
ターンオフ損失が低い
ショートテール電流
低EMI
最大ジャンクション温度: 175 °C
VCEsatが非常に低い
ターンオフ損失が低い
ショートテール電流
低EMI
最大ジャンクション温度: 175 °C
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
