Infineon TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 80 A, 3-Pin スルーホール

ボリュームディスカウント対象商品

15個小計 (スティック詰め)*

¥12,360.00

(税抜)

¥13,596.00

(税込)

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単価
15 - 114¥824
115 - 149¥759
150 - 189¥693
190 +¥628

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梱包形態
RS品番:
133-9879P
メーカー型番:
IKW50N65ES5XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

最大連続コレクタ電流 Ic

80A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

最大許容損失Pd

274W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

30kHz

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Min

-40°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.7V

動作温度 Max

175°C

シリーズ

TrenchStop

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

エネルギー定格

1.78mJ

COO(原産国):
CN

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V


InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。

• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V

• VCEsatが非常に低い

• ターンオフ損失が低い

• ショートテール電流

• 低EMI

• 最大ジャンクション温度: 175 °C

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。