東芝電池, GT50JR21 TO-3P IGBT, タイプN, タイプNチャンネル 600 V, 50 A, 3-Pin スルーホール, スルーホール

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梱包形態
RS品番:
796-5061
メーカー型番:
GT50JR21
メーカー/ブランド名:
Toshiba
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ブランド

Toshiba

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

50A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

230W

パッケージ型式

TO-3P

取付タイプ

スルーホール, スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN, タイプN

ピン数

3

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

25 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

東芝 IGBT ディスクリート


IGBTディスクリート&モジュール、東芝


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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