STMicroelectronics TO-3P IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 3-Pin スルーホール

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RS品番:
168-8740
メーカー型番:
STGWT80H65DFB
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

最大許容損失Pd

469W

パッケージ型式

TO-3P

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

シリーズ

HB

自動車規格

なし

COO（原産国）:
KR

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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