STMicroelectronics TO-3P IGBT, Nチャンネル 650 V, 120 A, 3-Pin

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥19,734.99

(税抜)

￥21,708.48

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 60￥657.833￥19,735
90 - 870￥648.167￥19,445
900 - 1170￥638.50￥19,155
1200 - 1470￥628.80￥18,864
1500 +￥619.133￥18,574

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
168-8740
メーカー型番:
STGWT80H65DFB
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

120 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

650 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

469 W

パッケージタイプ

TO-3P

実装タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

15.8 x 5 x 20.1mm

動作温度 Max

+175 °C

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
KR

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ