STMicroelectronics TO-3P IGBT, Nチャンネル 650 V, 120 A, 3-Pin

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RS品番:
168-8742
メーカー型番:
STGWT80H65FB
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流

120 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

650 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

469 W

パッケージタイプ

TO-3P

実装タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

N

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

シングル

寸法

15.8 x 5 x 20.1mm

動作温度 Min

-55 °C

動作温度 Max

+175 °C

COO（原産国）:
KR

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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