- RS品番:
- 792-5802
- メーカー型番:
- STGW60H65DFB
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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19 - 24 | ¥626.00 |
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- RS品番:
- 792-5802
- メーカー型番:
- STGW60H65DFB
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
IGBTディスクリート、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続コレクタ電流 | 80 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
最大パワー消費 | 375 W |
パッケージタイプ | TO-247 |
実装タイプ | スルーホール |
チャンネルタイプ | N |
ピン数 | 3 |
トランジスタ構成 | シングル |
寸法 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
動作温度 Max | +175 °C |
動作温度 Min | -55 °C |
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