STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 650 V 120 A, 3-Pin TO-247 シングル
- RS品番:
- 792-5814
- メーカー型番:
- STGW80H65DFB
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 個 | 単価 |
| 1 - 6 | ￥1,189.00 |
| 7 - 13 | ￥1,155.00 |
| 14 - 18 | ￥1,084.00 |
| 19 - 24 | ￥935.00 |
| 25 + | ￥903.00 |
- RS品番:
- 792-5814
- メーカー型番:
- STGW80H65DFB
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
IGBTディスクリート、STMicroelectronics
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IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 120 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 469 W |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| チャンネルタイプ | N |
| ピン数 | 3 |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 寸法 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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