STMicroelectronics IGBT 650 V 86 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) 1
- RS品番:
- 204-9869
- メーカー型番:
- STGB50H65FB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価: 購入単位は1000 個
¥235.384
(税抜)
¥258.922
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
1000 - 1000 | ¥235.384 | ¥235,384.00 |
2000 - 9000 | ¥228.358 | ¥228,358.00 |
10000 - 14000 | ¥216.18 | ¥216,180.00 |
15000 - 19000 | ¥210.09 | ¥210,090.00 |
20000 + | ¥204.001 | ¥204,001.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 204-9869
- メーカー型番:
- STGB50H65FB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
- COO(原産国):
- CN
詳細情報
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE ( sat )の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。
最大ジャンクション温度: TJ = 175 ° C
低 VCE (飽和) = 1.55 V (標準) @IC = 50 A
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
低 VCE (飽和) = 1.55 V (標準) @IC = 50 A
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
仕様
特性 | |
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最大連続コレクタ電流 | 86 A |
最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
トランジスタ数 | 1 |
最大パワー消費 | 272 W |
パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
ピン数 | 3 |
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