STMicroelectronics, STGB50H65FB2 TO-263 IGBT 650 V, 86 A, 3-Pin

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RS品番:
204-9869
メーカー型番:
STGB50H65FB2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

86A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

トランジスタ数

1

パッケージ型式

TO-263

ピン数

3

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2シリーズは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造の進化を示しています。HB2シリーズの性能は、低電流値におけるより優れたVCE(sat)動作により、導通の点で最適化されており、またスイッチング・エネルギーの低減という点でも最適化されている。

最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C

低VCE(sat) = 1.55 V(標準) @ IC = 50 A

テール電流の最小化

タイトなパラメータ分布

低熱抵抗

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