STMicroelectronics, STGB50H65FB2 TO-263 IGBT 650 V, 86 A, 3-Pin

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥188,608.00

(税抜)

￥207,469.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000￥188.608￥188,608
2000 - 9000￥188.018￥188,018
10000 - 14000￥187.429￥187,429
15000 - 19000￥186.839￥186,839
20000 +￥186.25￥186,250

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
204-9869
メーカー型番:
STGB50H65FB2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

86A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

トランジスタ数

1

パッケージ型式

TO-263

ピン数

3

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2シリーズは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造の進化を示しています。HB2シリーズの性能は、低電流値におけるより優れたVCE(sat)動作により、導通の点で最適化されており、またスイッチング・エネルギーの低減という点でも最適化されている。

最大ジャンクション温度: TJ = 175 °C

低VCE(sat) = 1.55 V(標準) @ IC = 50 A

テール電流の最小化

タイトなパラメータ分布

低熱抵抗

関連ページ