STMicroelectronics TO-247 IGBT, Nチャンネル, 650 V, 40 A, 3ピン
- RS品番:
- 202-5517
- メーカー型番:
- STGWA40H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 202-5517
- メーカー型番:
- STGWA40H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) | 650 V | |
| 最大連続コレクタ電流 (Ic) | 40 A | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) | 20 V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大コレクタエミッタ電圧 (Vceo) 650 V | ||
最大連続コレクタ電流 (Ic) 40 A | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧(VGEO) 20 V | ||
トランジスタ数 1 | ||
The STMicroelectronics high-speed HB2 series IGBT represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient
関連ページ
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V, 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 3ピン
- STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V 4ピン