STMicroelectronics, STGWA40H65DFB2 TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 40 A, 3-Pin
- RS品番:
- 202-5517
- メーカー型番:
- STGWA40H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 202-5517
- メーカー型番:
- STGWA40H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 40A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 40A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
トランジスタ数 1 | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
STMicroelectronics高速HB2シリーズIGBTは、高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造の進化を示しています。HB2シリーズの性能は、低電流値におけるより優れたVCE(sat)動作により、導通の点で最適化されており、またスイッチング・エネルギーの低減という点でも最適化されている。
タイトなパラメータ分布
低熱抵抗
正 VCE(sat) 温度係数
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