STMicroelectronics, STGWA30H65DFB2 TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 50 A, 3-Pin スルーホール

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥14,348.01

(税抜)

￥15,782.82

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 630 は 2026年3月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120￥478.267￥14,348
150 - 270￥473.333￥14,200
300 - 720￥463.333￥13,900
750 - 1470￥454.60￥13,638
1500 +￥445.933￥13,378

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
204-9877
メーカー型番:
STGWA30H65DFB2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 Ic

50A

プロダクトタイプ

IGBT

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

650V

最大許容損失Pd

167W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

21.1 mm

高さ

5.1mm

長さ

15.9mm

シリーズ

STG

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。

最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C

低 VCE （飽和） = 1.65 V （標準） @IC = 30 A

非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード

テール電流を最小化

パラメータのばらつきが少ない

低熱抵抗

関連ページ