STMicroelectronics IGBT 650 V 50 A, 3-Pin TO-247 1
- RS品番:
- 204-9878
- メーカー型番:
- STGWA30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は5個
￥521.00
(税抜)
￥573.10
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | ￥521.00 | ￥2,605.00 |
| 10 + | ￥505.60 | ￥2,528.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 204-9878
- メーカー型番:
- STGWA30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。
最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
低 VCE （飽和） = 1.65 V （標準） @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
低 VCE （飽和） = 1.65 V （標準） @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 50 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 167 W |
| トランジスタ数 | 1 |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| ピン数 | 3 |
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