STMicroelectronics IGBT 650 V 115 A, 4-Pin TO-247 1
- RS品番:
- 206-6063
- メーカー型番:
- STGW75H65DFB2-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は30個
￥1,003.867
(税抜)
￥1,104.254
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥1,003.867 | ￥30,116.01 |
| 150 - 270 | ￥983.767 | ￥29,513.01 |
| 300 - 720 | ￥964.10 | ￥28,923.00 |
| 750 - 1470 | ￥944.80 | ￥28,344.00 |
| 1500 + | ￥925.933 | ￥27,777.99 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 206-6063
- メーカー型番:
- STGW75H65DFB2-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。
最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
低 VCE （飽和） = 1.55 V （標準） @IC = 75 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
正の VCE （ sat ）温度係数
追加の駆動ケルビンピンにより、優れたスイッチング性能を発揮します
低 VCE （飽和） = 1.55 V （標準） @IC = 75 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
正の VCE （ sat ）温度係数
追加の駆動ケルビンピンにより、優れたスイッチング性能を発揮します
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 115 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 357 W |
| トランジスタ数 | 1 |
| パッケージタイプ | TO-247 |
| ピン数 | 4 |
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