STMicroelectronics TO-247 IGBT 650 V, 115 A, 4-Pin

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。

最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
低 VCE （飽和） = 1.55 V （標準） @IC = 75 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない
低熱抵抗
正の VCE （ sat ）温度係数
追加の駆動ケルビンピンにより、優れたスイッチング性能を発揮します

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。