インフィニオン ECONO2 IGBTモジュール, Nチャンネル 1200 V, 35 A, 23-Pin

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RS品番:
838-7055
メーカー型番:
FP35R12KT4B11BOSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

最大連続コレクタ電流

35 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1200 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

210 W

回路構成

3相ブリッジ

パッケージタイプ

ECONO2

実装タイプ

基板実装

チャンネルタイプ

N

ピン数

23

スイッチングスピード

1MHz

トランジスタ構成

3相

寸法

107.5 x 45 x 17mm

動作温度 Min

-40 °C

動作温度 Max

+150 °C

Infineon IGBTモジュール


Infineon シリーズの IGBTモジュールは、最高60 Khzの切り替えに対する低スイッチング損失を実現します。
このIGBTの用途は、 様々な電源モジュールに跨っており、1200Vのコレクタ / エミッタ電圧を備えたEconoPACK™パッケージ、 最高1600 / 1700VのNTC(負温度特性)を備えたPrimePACK IGBTハーフブリッジチョッパモジュールなどで使われます。PrimePACK IGBTは、産業、商業、建設、農業用車両で使用されています。N チャンネル TRENCHSTOP TM / フィールドストップIGBTモジュールは、インバータ、UPS、産業ドライブなどのハードスイッチングとソフトスイッチングの用途に適しています。

パッケージスタイルの内容: 62 mmモジュール、EasyPACK、EconoPACK TM 2/ EconoPACK TM 3/ EconoPACK TM 4.

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



IGBTディスクリート&モジュール、Infineon


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

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