onsemi Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） IGBTモジュール 1000 V, 303 A
- RS品番:
- 245-6976
- メーカー型番:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 245-6976
- メーカー型番:
- NXH350N100H4Q2F2S1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 303 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 4 | |
| 最大パワー消費 | 592 W | |
| パッケージタイプ | Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 303 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1000 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 4 | ||
最大パワー消費 592 W | ||
パッケージタイプ Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） | ||
Si/SiCハイブリッドモジュール - EliteSiC、I型NPC 1000 V、350 A IGBT、1200 V、100 A SiCダイオード、Q2パッケージはんだピン
ON Semiconductorの3レベルNPC Q2Packモジュールは、高性能IGBTと堅牢なアンチパラレルダイオードを組み合わせた高密度集積電源モジュールです。
フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
低パッケージ高さ
鉛不使用、ハロゲン不使用、RoHS対応
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
低パッケージ高さ
鉛不使用、ハロゲン不使用、RoHS対応
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