onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール
- RS品番:
- 245-6981
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ0SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 トレイ(1トレイ24個入り) 小計：*
￥362,257.992
(税抜)
￥398,483.784
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | ￥15,094.083 | ￥362,258 |
| 48 - 216 | ￥14,995.333 | ￥359,888 |
| 240 - 336 | ￥14,897.833 | ￥357,548 |
| 360 - 456 | ￥14,799.042 | ￥355,177 |
| 480 + | ￥14,701.75 | ￥352,842 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 245-6981
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ0SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| トランジスタ数 | 2 | |
| 最大パワー消費 | 118 W | |
| パッケージタイプ | Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
トランジスタ数 2 | ||
最大パワー消費 118 W | ||
パッケージタイプ Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | ||
フルSiC MOSFETモジュール｜EliteSiC 2チャンネルフルSiCブースト、1200V、40mΩ SiC MOSFET + 1200V、40A SiCダイオード ニッケルめっきDBC
ON Semiconductorの3チャンネルブーストQ1電源モジュールは、2段昇圧段を含む電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。
1200 V 40 m SiC MOSFETs
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低誘導性レイアウト はんだ付け対応ピン サーミスタ
鉛不使用、ハロゲン不使用、BFR不使用、RoHS準拠
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低誘導性レイアウト はんだ付け対応ピン サーミスタ
鉛不使用、ハロゲン不使用、BFR不使用、RoHS準拠
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
関連ページ
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q2BOOST - ケース180BG（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン）、Q2BOOST - PIM53 IGBTモジュール 1000 V, 73 A
- onsemi ケース: 180BF（鉛不使用、ハロゲン化物不使用） 圧入ピン IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） IGBTモジュール
- onsemi Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） IGBTモジュール 1000 V, 303 A