onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール
- RS品番:
- 245-6981
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ0SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | ￥10,912.708 | ￥261,905 |
| 48 - 216 | ￥10,841.333 | ￥260,192 |
| 240 - 336 | ￥10,770.833 | ￥258,500 |
| 360 - 456 | ￥10,699.417 | ￥256,786 |
| 480 + | ￥10,629.042 | ￥255,097 |
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- RS品番:
- 245-6981
- メーカー型番:
- NXH40B120MNQ0SNG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大パワー消費 | 118 W | |
| トランジスタ数 | 2 | |
| パッケージタイプ | Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大パワー消費 118 W | ||
トランジスタ数 2 | ||
パッケージタイプ Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | ||
フルSiC MOSFETモジュール｜EliteSiC 2チャンネルフルSiCブースト、1200V、40mΩ SiC MOSFET + 1200V、40A SiCダイオード ニッケルめっきDBC
ON Semiconductorの3チャンネルブーストQ1電源モジュールは、2段昇圧段を含む電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。
1200 V 40 m SiC MOSFETs
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低誘導性レイアウト はんだ付け対応ピン サーミスタ
鉛不使用、ハロゲン不使用、BFR不使用、RoHS準拠
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
低誘導性レイアウト はんだ付け対応ピン サーミスタ
鉛不使用、ハロゲン不使用、BFR不使用、RoHS準拠
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