onsemi 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン）、Q2BOOST - PIM53 IGBTモジュール 1000 V, 73 A
- RS品番:
- 245-6970
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 245-6970
- メーカー型番:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 73 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 79 W | |
| トランジスタ数 | 6 | |
| パッケージタイプ | 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン）、Q2BOOST - PIM53 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 73 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1000 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 79 W | ||
トランジスタ数 6 | ||
パッケージタイプ 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン）、Q2BOOST - PIM53 | ||
ON SemiconductorのQ2BOOSTモジュールは、高性能IGBTと1200 V SiCダイオードを組み合わせた高密度集積パワー・モジュールです。
フィールドストップ技術による極めて効率的なトレンチ
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
3チャンネルQ2BOOSTパッケージ
鉛不使用デバイスs
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
モジュール設計による高い電力密度
低誘導性レイアウト
3チャンネルQ2BOOSTパッケージ
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