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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	IGBTモジュール
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo	1200V
	最大許容損失Pd	188W
	トランジスタ数	4
	パッケージ型式	Q0PACK - ケース 180AB
	取付タイプ	表面
	動作温度 Min	-40°C
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO	20 V
	動作温度 Max	175°C
	高さ	13.9mm
	長さ	55.2mm
	シリーズ	NXH80T120L3Q0S3G
	幅	32.8 mm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ IGBTモジュール
	最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V
	最大許容損失Pd 188W
	トランジスタ数 4
	パッケージ型式 Q0PACK - ケース 180AB
	取付タイプ表面
	動作温度 Min -40°C
	最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V
	動作温度 Max 175°C
	高さ 13.9mm
	長さ 55.2mm
	シリーズ NXH80T120L3Q0S3G
	幅 32.8 mm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - NXH80T120L3Q0S3G

ON Semiconductor Q0PACKモジュールは、T型中性点クランプ3レベルインバータステージを搭載したパワーモジュールです。統合されたフィールドストップトレンチIGBTと高速リカバリダイオードにより、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。

低スイッチング損失

低VCESAT

コンパクトな65.9mm x 32.5mm x 12mmパッケージ

熱界面活性剤塗布済みと塗布なしオプション

はんだ付け可能なピンと圧入ピンサーミスタのオプション

onsemi Q0PACK - ケース 180AB IGBTモジュール 1200 V 表面

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