onsemi, NXH450B100H4Q2F2PG Q2BOOST - ケース 180BG IGBTモジュール 1000 V 表面

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梱包形態
RS品番:
245-6986
メーカー型番:
NXH450B100H4Q2F2PG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

IGBTモジュール

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1000V

トランジスタ数

2

最大許容損失Pd

79W

パッケージ型式

Q2BOOST - ケース 180BG

取付タイプ

表面

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

12.3mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

93.1mm

シリーズ

NXH450B100H4Q2F2PG

自動車規格

なし

ON Semiconductor Q2BOOSTモジュールは、SiまたはSiCハイブリッド3チャネル対称昇圧モジュールです。各チャンネルには、1000V、150AのIGBTが2個、1200V、30AのSiCダイオードが2個、1600V、30Aのバイパスダイオードが2個搭載されています。モジュールにはNTCサーミスタが内蔵されています。

シリコンまたはSiCハイブリッド技術が電力密度を最大化

低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減

低誘導レイアウト

圧入とはんだピンのオプション

鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応

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