onsemi Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- RS品番:
- 245-6987
- メーカー型番:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 245-6987
- メーカー型番:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 101 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 2 | |
| 最大パワー消費 | 79 W | |
| パッケージタイプ | Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 101 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 1000 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 2 | ||
最大パワー消費 79 W | ||
パッケージタイプ Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） | ||
ON Semiconductor Q2BOOSTモジュールは、SiまたはSiCハイブリッド3チャネル対称昇圧モジュールです。各チャンネルには、1000V、150AのIGBTが2個、1200V、30AのSiCダイオードが2個、1600V、30Aのバイパスダイオードが2個搭載されています。モジュールにはNTCサーミスタが内蔵されています。
シリコンまたはSiCハイブリッド技術が電力密度を最大化
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
低誘導レイアウト
圧入とはんだピンのオプション
鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応
関連ページ
- onsemi Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール
- onsemi 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用圧入ピン）、Q2BOOST - PIM53 IGBTモジュール 1000 V, 73 A
- onsemi Q2BOOST - ケース180BG（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A
- onsemi ケース: 180BF（鉛不使用、ハロゲン化物不使用） 圧入ピン IGBTモジュール 1200 V, 61 A
- onsemi Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） IGBTモジュール 1000 V, 303 A
- onsemi Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） IGBTモジュール