onsemi IGBTモジュール 1000 V 101 A Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） 2
- RS品番:
- 245-6987
- メーカー型番:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
一時的な在庫切れ - 2025/01/30に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価： 購入単位は36 個
￥34,450.556
(税抜)
￥37,895.612
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 36 - 36 | ￥34,450.556 | ￥1,240,220.016 |
| 72 - 324 | ￥33,761.556 | ￥1,215,416.016 |
| 360 - 504 | ￥33,086.306 | ￥1,191,107.016 |
| 540 - 684 | ￥32,424.583 | ￥1,167,284.988 |
| 720 + | ￥31,776.111 | ￥1,143,939.996 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 245-6987
- メーカー型番:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
詳細情報
ON Semiconductor Q2BOOSTモジュールは、SiまたはSiCハイブリッド3チャネル対称昇圧モジュールです。各チャンネルには、1000V、150AのIGBTが2個、1200V、30AのSiCダイオードが2個、1600V、30Aのバイパスダイオードが2個搭載されています。モジュールにはNTCサーミスタが内蔵されています。
シリコンまたはSiCハイブリッド技術が電力密度を最大化
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
低誘導レイアウト
圧入とはんだピンのオプション
鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
低誘導レイアウト
圧入とはんだピンのオプション
鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 101 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1000 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| 最大パワー消費 | 79 W |
| トランジスタ数 | 2 |
| パッケージタイプ | Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） |
関連ページ
- onsemi IGBTモジュール 1000 V 303 A Q2PACK（鉛不使用 / ハロゲン化物不使用） 4
- onsemi IGBTモジュール 1000 V 101 A Q2BOOST - ケース180BG（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） 2
- onsemi IGBTモジュール Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） 2
- onsemi IGBTモジュール 1200 V 61 A ケース: 180BF（鉛不使用、ハロゲン化物不使用） 圧入ピン 2
- onsemi IGBTモジュール 1000 V 73 A 93x47（PRESSFIT）（鉛不使用 /...
- onsemi IGBTモジュール 1200 V 61 A Q0BOOST - ケース180AJ（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） 2
- onsemi IGBTモジュール 1200 V 75 A Q0PACK - ケース 180AB（鉛/ハロゲン未使用） 4
- onsemi IGBTモジュール Q1 3チャンネルBOOST - ケース180BQはんだピン（鉛フリー） 3