onsemi Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A

IGBT・絶縁ゲートバイポーラトランジスタ の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 トレイ(1トレイ36個入り) 小計：*

￥895,965.984

(税抜)

￥985,562.568

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 36 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
36 - 36￥24,887.944￥895,966
72 - 324￥24,804.667￥892,968
360 - 504￥24,722.472￥890,009
540 - 684￥24,639.194￥887,011
720 +￥24,555.972￥884,015

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
245-6987
メーカー型番:
NXH450B100H4Q2F2SG
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流

101 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1000 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

最大パワー消費

79 W

トランジスタ数

2

パッケージタイプ

Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン）

ON Semiconductor Q2BOOSTモジュールは、SiまたはSiCハイブリッド3チャネル対称昇圧モジュールです。各チャンネルには、1000V、150AのIGBTが2個、1200V、30AのSiCダイオードが2個、1600V、30Aのバイパスダイオードが2個搭載されています。モジュールにはNTCサーミスタが内蔵されています。

シリコンまたはSiCハイブリッド技術が電力密度を最大化
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
低誘導レイアウト
圧入とはんだピンのオプション
鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ