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IGBT
onsemi IGBTモジュール Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン) 2
RS品番:
245-6991
メーカー型番:
NXH80B120MNQ0SNG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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RS品番:
245-6991
メーカー型番:
NXH80B120MNQ0SNG
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet - NXH80B120MNQ0SNG
RoHSステータス: 適合
フルSiC MOSFETモジュール | EliteSiC 2チャンネルフルSiCブースト、1200 V、80モームSiC MOSFET + 1200 V、20 A SiCダイオードニッケルめっきDBC
ON Semiconductor デュアルブースト電源モジュールは、デュアルブーストステージを備えた電源モジュールです。統合されたSiC MOSFETとSiCダイオードは、伝導損失とスイッチング損失を低減し、設計者が高効率と優れた信頼性を実現できるようにします。
1200V 80m SiC MOSFET
低逆回復と高速スイッチングSiCダイオード
1600 Vバイパスとアンチパラレルダイオード
低誘導レイアウトはんだ付け可能ピン サーミスタ
鉛未使用、ハロゲン/BFR未使用RoHS準拠
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
特性
最大パワー消費
69 W
トランジスタ数
2
パッケージタイプ
Q0BOOST - ケース180AJ(鉛/ハロゲン未使用圧入ピン)
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