onsemi Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン） IGBTモジュール 1000 V, 101 A

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梱包形態
RS品番:
245-6989
メーカー型番:
NXH450B100H4Q2F2SG
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

最大連続コレクタ電流

101 A

最大コレクタ- エミッタ間電圧

1000 V

最大ゲート-エミッタ間電圧

±20V

トランジスタ数

2

最大パワー消費

79 W

パッケージタイプ

Q2BOOST - ケース180BR（鉛/ハロゲン未使用圧入ピン）

ON Semiconductor Q2BOOSTモジュールは、SiまたはSiCハイブリッド3チャネル対称昇圧モジュールです。各チャンネルには、1000V、150AのIGBTが2個、1200V、30AのSiCダイオードが2個、1600V、30Aのバイパスダイオードが2個搭載されています。モジュールにはNTCサーミスタが内蔵されています。

シリコンまたはSiCハイブリッド技術が電力密度を最大化
低スイッチング損失によりシステムの電力損失を低減
低誘導レイアウト
圧入とはんだピンのオプション
鉛未使用、ハロゲン未使用、RoHS対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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