Infineon, IGW75N60TFKSA1 TO-247 パワー半導体, タイプNチャンネル 600 V, 75 A, 3-Pin スルーホール

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梱包形態
RS品番:
754-5395
メーカー型番:
IGW75N60TFKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワー半導体

最大連続コレクタ電流 Ic

75A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

428W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2V

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Max

175°C

シリーズ

TrenchStop

規格 / 承認

JEDEC J-STD-020 and JESD-022, RoHS

自動車規格

なし

インフィニオン TrenchStop IGBTトランジスタ、600Vおよび650V


インフィニオンのIGBTトランジスタシリーズは、TrenchStopTM技術を採用した600Vおよび650Vのコレクタエミッタ定格電圧を備えています。このシリーズは、高速、高速回復の逆平行ダイオードを内蔵したデバイスを備えています。

• コレクタエミッタ電圧範囲:600 → 650V

• 超低VCEsat

• 低ターンオフ損失

• ショートテール電流

• 低 EMI

• 最高ジャンクション温度:175°C

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

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