Infineon, IGW15T120FKSA1 TO-247 パワー半導体, タイプNチャンネル 1200 V, 30 A, 3-Pin スルーホール

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋4個入り) 小計:*

¥3,315.00

(税抜)

¥3,646.48

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年5月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
4 - 4¥828.75¥3,315
8 +¥812.25¥3,249

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
914-0211
メーカー型番:
IGW15T120FKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

最大連続コレクタ電流 Ic

30A

プロダクトタイプ

パワー半導体

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

110W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC1, Pb-free lead plating, RoHS

シリーズ

TrenchStop

自動車規格

なし

エネルギー定格

4.1mJ

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V


Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ~ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStop™テクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。

• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V

• 超低VCEsat

• 低ターンオフ損失

• 短テール電流

• 低EMI

• 最大ジャンクション温度: 175 °C

IGBTディスクリート&モジュール、Infineon


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ